Millerova doba plató je takmer nulová (pozri obrázok 3) a celková strata spínania je znížená najmenej o 70 %
Oct 19, 2022| Millerova doba plató je takmer nulová (pozri obrázok 3) a celková strata spínania je znížená najmenej o 70 %
Ako je uvedené v tabuľke 1, s rovnakým RDS (ON), nitrid gália má menšiu parazitnú kapacitu a Ciss a Crss sú 1/12 a 1/23 Si CoolMOS, čo vedie k vyššej rýchlosti prepínania. V rýchlom mostíku BTPPFC sa čas prekrývania prúdu a napätia skracuje o viac ako 88 % (pozri obrázok 2). Millerova doba plató je takmer nulová (pozri obrázok 3) a celková strata spínania je znížená najmenej o 70 %.
Coss of InnoGaN je menší a má lepšiu linearitu (pozri obrázok 4). Keď je Vds nízka, Coss GaN je oveľa menší ako Si MOS a Si bude mať proces svahovej mutácie. Zo systémovej krivky je možné vidieť, že strata prekrytia GaN pri prepínaní je oveľa menšia ako u Si MOS a Dv/dt GaN v segmente t2-t3 je menšia ako u Si MOS, takže Vytváraný šum EMI je tiež menší.
